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芯片晶圓熱處理的方法與流程
- 分類： 行業知識
- 作者：超級管理員
- 來源：本站
- 發布時間：2022-11-28
- 訪問量： 1046
【概要描述】 作為制造半導體器件的原料之一，將二氧化硅放入坩堝爐加熱熔融，用直徑約10mm的棒狀籽晶浸漬在熔融···
芯片晶圓熱處理的方法與流程
【概要描述】 作為制造半導體器件的原料之一，將二氧化硅放入坩堝爐加熱熔融，用直徑約10mm的棒狀籽晶浸漬在熔融···
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作為制造半導體器件的原料之一，將二氧化硅放入坩堝爐加熱熔融，用直徑約10mm的棒狀籽晶浸漬在熔融硅中，使籽晶稍微旋轉并提拉后，熔融硅中的硅原子在籽晶之后的單晶晶格排列方向上繼續結晶化，芯片晶圓熱處理從而制造半導體器件如果整個晶體環境穩定，就會形成重復晶體，最后形成圓柱狀原子排列整齊的硅單晶，也就是硅單晶錠。 硅單晶錠接著通過切片、研磨、蝕刻、清洗、研磨等一系列晶片加工工藝加工成晶片，那么下面一起了解下芯片晶圓熱處理的方法與流程吧!
但是，在硅單晶的生長過程、晶片的制造、之后的半導體器件形成的各種工藝中，由于晶體的不完全性、工藝和結構引起的應力、剪切力、或者來自外部的雜質的侵入，芯片晶圓熱處理經常會產生各種形狀的缺陷。 由于在這些缺陷附近的硅原子和自晶格間硅自身中存在未結合的電子，所以在半導體器件的界面和表面容易形成懸掛鍵，根據偏置電壓的不同，柵極氧化層的崩潰電壓的降低和漏電流的增加等同樣地，在制造金屬雜質的半導體器件的電子特性上
另外，這是因為半導體器件的尺寸越微細，載流子在高電場下得到足夠的能量并發生碰撞，載流子的一部分被注入柵極氧化層。 這將引起半導體器件的性能劣化及其可靠性不良的問題。
目前常見的改進方法之一是采用氫氣鈍化處理技術，將制備半導體器件的晶片置于氫氣氣氛中退火，使懸掛鍵與氫氣結合，芯片晶圓熱處理降低懸掛鍵的數量和對半導體器件操作的不良影響。 此外，在半導體器件完成時，用重氫氣體進行調節，重氫與三、四或五族元素通過共價鍵結合，形成比較穩定的結構，避免熱載流子的穿透，降低漏電流，提高器件的性能和可靠性。但是，半導體器件中摻雜有多種摻雜劑，這些摻雜劑與高反應的氫氣和氘氣在高溫環境下可能發生不同的反應，影響半導體器件的特性，因此鈍化處理工藝參數的優化很困難。
芯片晶圓熱處理帶來提高機械強度及半導體器件成品率的效果。 但是，如果這些氧析出物存在于器件的活性區域，則會導致柵極氧化物的完整性降低、不需要的基板漏電流等問題，越來越不符合精密化的半導體器件的需求，因此，如果氧析出物形成在本體區域這樣的器件活性區域以外，則可以防止半導體器件的損壞因此，如何使氧沉淀以適當的深度、密度和大小分布在晶片上，是行業持續精進的目標之一。技術實現要素：
芯片晶圓熱處理提供一種在含有無氧氣混合氣體的氣氛中放置晶片，對晶片的一面進行快速升溫處理，再在含有氧氣的氣氛中放置晶片，對晶片的一面進行快速降溫處理的方法，藉由減少結晶的原生缺陷，阻礙內質點缺陷的凝聚。
芯片晶圓熱處理在含有無氧混合氣體的氣氛中放置晶片，對晶片的一面實施快速升溫處理，進而在含有氧的氣氛中放置晶片，對晶片的一面實施快速降溫處理，在接近預定制造的半導體器件的地方形成體微缺陷提供一種晶片熱處理方法，使器件的活性區域不形成體微缺陷，抑制位錯的滑動，提高內質金屬雜質的吸除效果。
芯片晶圓熱處理在含有無氧氣混合氣體的氣氛中放置至少一個晶片，對至少一個晶片的表面進行急速升溫處理，升溫到規定的高溫的工序在執行本發明的工序時，不會同時對半導體器件的多個不同的成分和結構產生不同的影響，也不會產生不良影響為了簡化優化上述工序的工序，優選在將晶片切片后到在晶片上制造多個半導體器件為止的期間進行。
以上介紹的就是芯片晶圓熱處理的方法與流程，如需了解更多，可隨時聯系我們!
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