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劃重點！常見半導體退火工藝介紹對比
- 分類： 行業知識
- 作者：管理員
- 來源：本站
- 發布時間：2024-09-14
- 訪問量： 177
【概要描述】退火工藝是半導體制造過程中的重要環節，旨在通過加熱和冷卻過程改善材料的電學性能、晶體結構和可靠性。以···
劃重點！常見半導體退火工藝介紹對比
【概要描述】退火工藝是半導體制造過程中的重要環節，旨在通過加熱和冷卻過程改善材料的電學性能、晶體結構和可靠性。以···
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退火工藝是半導體制造過程中的重要環節，旨在通過加熱和冷卻過程改善材料的電學性能、晶體結構和可靠性。以下是一些主要的半導體退火工藝類型：
各退火工藝簡介
管式爐退火：將材料放在一個封閉的長管形爐膛內。這個爐膛通常由耐高溫的材料如石英制成。管爐的周圍包裹著電阻絲，可以通過電阻加熱將爐膛加熱、控溫，確保溫度分布均勻并達到所需的退火溫度。適合進行長時間的退火處理，特別是對于需要嚴格控制溫度梯度和時間參數的高溫工藝。
RTP快速退火：RTP通過高強度光源（如：紅外燈）迅速加熱晶圓，可以在極短的時間內（幾秒到幾十秒）達到所需的高溫，并且能迅速冷卻至室溫，極大縮短了退火周期。可以精確控制加熱和冷卻速率，以及達到的溫度和時間，從而提高工藝的穩定性和重復性。對電子、陶瓷、無機、金屬、復合等新材料和器件的快速熱處理相關研究、生產有重要作用。
激光退火：是使用集中的激光束將材料局部加熱至所需高溫。特定波長和功率的激光束經過透鏡聚焦并掃描在目標表面，進行局部瞬間加熱。根據需要可調整目標區域保持在高溫下的時間，之后目標區域迅速冷卻至室溫。常用于微電子器件的局部加熱和退火處理，以及半導體制造中的精細圖形處理和晶格缺陷修復等。
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